高溫真空爐制作工藝
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1、常壓真空：常規(guī)真空是以傳統(tǒng)的一步真空方式升溫到高真空溫度保溫一段時間后，再降溫到室溫來真空陶瓷的方法。對于常規(guī)真空，在不改變真空速率和保溫時間的情況下，影響陶瓷致密化和晶粒長大的主要因素是素坯的性質。采用相同的粉體制備素坯時，成型壓力不同，素坯的結構以及堆積密度也會有較大的差距。當壓力過大時，顆粒所受應力較大，且顆粒與顆粒之間會相互擠壓，真空時則容易融合長大。而壓力過小時，獲得的素坯密度較低，且容易出現(xiàn)結構不均勻等現(xiàn)象，導致真空得到的陶瓷致密度較低。 試驗機
2、高溫快速真空：快速真空機制是通過提高升降溫速率、縮短保溫時間來獲得高致密且小晶粒尺寸的陶瓷。由于陶瓷致密化所需的激活能遠小于晶粒長大所需的激活能，且在高溫下陶瓷內晶界擴散將大量進行，因而較高的溫度將會為陶瓷的致密化提供足夠的驅動力，使致密化更容易進行。隨著真空的進行，溫度升高會導致晶粒粗化，若真空時能快速越過表面擴散比晶界擴散更易進行的溫度范圍，致密化將占據(jù)主導地位。
3、控制速率真空：真空真空爐控制速率真空主要控制真空中的升溫速率。陶瓷真空初期有大量開氣孔存在，提高真空初期升溫速率可將開氣孔保留到真空中期，開氣孔可阻止晶界遷移，進而在陶瓷致密化過程中抑制晶粒的長大。但用此方法真空陶瓷，需詳細了解目標材料的致密化速率與晶粒長大的關系才能合理控制真空速率，還需避免長時間高溫真空導致的晶粒長大。
